海力士宣布拟在韩国投资10亿美元扩大和改进其HBM芯片封装工艺，新投资将投入到HBM先进封装的MR-MUF和TSV（硅通孔）技术中。
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海力士宣布拟在韩国投资10亿美元扩大和改进其HBM芯片封装工艺，新投资将投入到HBM先进封装的MR-MUF和TSV（硅通孔）技术中。
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