【四海读报】20260123：存储行业深度报告

骐骥驰骋，AI“存”变，国产“储”势，星火燎原

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1. 一段话总结

AI与数据扩张驱动存储行业进入新周期，2025年存储全产品价格大幅上涨且2026年有望延续，供需端呈现结构性供给受限与AI驱动需求激增的格局，HBM/HBF等新技术加速迭代，LPDDR5X成为终端主流；国产存储突破显著，长鑫存储推出LPDDR5X、长江存储设备国产化率迈向100%，CBA+4F²技术有望实现弯道超车；行业长期成长确定性强，建议关注经销商、IC设计、国产供应链三大主线，需警惕周期性波动与技术迭代风险。

2. 思维导图（mindmap）

3. 详细总结

一、行业综述：AI驱动存储新周期到来

1. 核心驱动力

   • 数据与AI双轮驱动：2029年全球数据生成量将达527.47ZB（中国136.12ZB，CAGR=26.9%），谷歌月均处理Tokens达1.3千万亿级，大模型训推催生海量存储需求。
   • CSP资本开支加码：2026年全球八大CSP资本支出将超6000亿美元（同比+40%），存储占数据中心Capex比例约12%，且有望持续提升。
   • 价格持续上涨：2025Q4 NAND资源价格环比涨幅超一倍，DDR4 16Gb、OEM SSD 1TB等产品价格大幅攀升，2026年供需缺口或延续涨价趋势。

2. 下游需求分布

   应用领域	2024-2029年CAGR	核心存储需求
   AI端侧（手机/PC/AR/VR）	36.4%	LPDDR5X、ePOP集成存储
   服务器	22.0%	HBM、DDR5、QLC SSD
   智能汽车	–	车载DRAM、高耐用性SSD
   机器人（具身智能）	–	高可靠DRAM、持久化存储

二、供需格局：结构性短缺持续

1. 供给端：结构性受限

   • 资本支出转向：2026年原厂资本开支聚焦制程升级（如1gamma制程）、混合键合等先进工艺，而非规模扩产，位元供给增长有限。
   • 产能约束：DRAM无尘室资源紧张，仅三星、SK海力士可小幅扩产；NAND原厂优先配置DRAM/HBM资源，产能扩张保守。
   • 关键材料/设备短缺：Low Dk电子布、HVLP铜箔等高端材料供需缺口延续至2027年。

2. 需求端：AI驱动结构性爆发

   • AI服务器：英伟达Rubin Ultra NVL576单机柜搭载365TB HBM4e，谷歌Ironwood TPU配备192GB HBM，带动HBM需求激增（2025年同比+88.1%）。
   • 终端迁移：LPDDR5X需求2025年同比+558%，2026年+169%，手机/PC厂商加速替代LPDDR4。
   • HDD替代：Nearline HDD交期延长至52周，QLC SSD以高IOPS、低功耗优势加速替代，2026年出货量显著增长。

三、技术迭代：HBM/HBF/CBA引领创新

1. DRAM技术演进

   • HBM：HBM4 2026年量产，带宽2TB/s、容量36-48GB，HBM8预计2038年带宽达64TB/s。
   • 后HBM时代：HBF（高带宽闪存）专为AI推理而生，2026年下半年出样，2027年搭载设备面世。
   • 架构创新：CBA（CMOS键合阵列）+4F²布局，长鑫存储率先布局，2026年启动风险生产，2027年大规模量产。

2. NAND技术趋势

   • 3D堆叠：长江存储Xtacking 4.0实现294层等效密度，接口速度3600MT/s。
   • 应用创新：KV Cache催生NAND新需求，英伟达推出16TB推理上下文内存存储平台，带宽达200Gb/s。

四、国产存储：突破与弯道超车

1. 头部厂商进展

   厂商	产品突破	技术/产能进展
   长鑫存储	推出LPDDR5X（速率10667Mbps）	2025年DRAM晶圆产量增长68%，全球市占率预计升至8%
   长江存储	Xtacking 4.0（232层TLC）	三期工厂设备国产化率迈向100%，2026年产能达30万片/月

2. 技术弯道超车

   • CBA+4F²：长鑫存储布局垂直沟道晶体管的4F²方案，结合CBA架构解决工艺兼容问题，有望实现技术反超。
   • 利基市场：兆易创新利基DRAM价格持续上涨，预计占据国内1/3市场份额；NOR Flash 2025Q4报价双位数涨幅。

五、投资建议

1. 三大主线

   • 经销商及模组制造商：香农芯创、江波龙、佰维存储、德明利、开普云。
   • IC设计公司：利基存储（兆易创新、东芯股份、普冉股份）；配套芯片（澜起科技、联芸科技）。
   • 国产供应链：设备（北方华创、中微公司）；材料（华海诚科、联瑞新材）；CBA DRAM（晶合集成、汇成股份）；封装（深科技）。

六、风险提示

• 行业周期性波动风险：产能扩张过快或AI需求不及预期可能引发价格下跌。
• 技术迭代风险：HBM/HBF等技术进展不及预期，企业面临市场份额丢失风险。
• 地缘政治风险：贸易政策、技术禁运影响供应链与市场拓展。
• 国产替代风险：先进制程良率提升或设备国产化不及预期。

4. 关键问题及答案

问题1：存储行业进入新周期的核心逻辑是什么？供需格局有何特点？

• 答案：核心逻辑是AI与数据扩张双驱动：AI服务器/端侧设备需求爆发，2029年全球数据量将达527.47ZB，带动HBM、LPDDR5X等高性能存储需求激增；同时2025年存储全产品价格大幅上涨，形成“需求激增+供给受限”的景气周期。供需格局特点：①供给端：原厂资本支出转向技术升级（制程/混合键合），位元供给增长有限，DRAM无尘室、高端材料（Low Dk电子布）产能短缺；②需求端：结构性爆发，AI服务器（HBM需求2025年同比+88.1%）、LPDDR5X（2026年需求同比+169%）、QLC SSD（替代HDD）成为核心增量，消费端需求受涨价抑制但稳步增长。

问题2：存储行业技术迭代的核心方向有哪些？对行业竞争格局有何影响？

• 答案：核心技术迭代方向：①DRAM领域：HBM4（2026年量产，带宽2TB/s）、HBF（AI推理专用高带宽闪存，2026年出样）、CBA+4F²架构（2027年大规模量产）；②NAND领域：3D堆叠（长江存储Xtacking 4.0）、KV Cache适配存储架构。对竞争格局的影响：①国际巨头：三星、SK海力士在HBM领域保持先发优势，主导高端市场；②国产厂商：长鑫存储通过CBA+4F²架构实现技术弯道超车，长江存储Xtacking技术比肩国际巨头，设备国产化率提升至100%；③利基市场：兆易创新等企业借海外大厂退出机遇，抢占利基DRAM/NOR Flash市场份额，形成差异化竞争。

问题3：国产存储在技术、产能、供应链方面取得了哪些突破？投资机会集中在哪些领域？

• 答案：国产存储突破点：①技术突破：长鑫存储推出LPDDR5X（速率10667Mbps），长江存储Xtacking 4.0实现294层等效密度，长鑫布局CBA+4F²架构；②产能突破：长鑫2025年DRAM晶圆产量增长68%，长江存储三期工厂2026年产能达30万片/月；③供应链突破：长江存储设备国产化率迈向100%，国产设备（北方华创）、材料（华海诚科）实现配套。投资机会集中在三大领域：①直接受益于价格上涨的经销商及模组厂商（香农芯创、江波龙）；②利基存储及配套芯片IC设计公司（兆易创新、澜起科技）；③国产供应链（设备、材料、封装、CBA DRAM），如北方华创、深科技、晶合集成等。