【四海读报】20260524–计算机行业研究：电容：电RAM

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一、一段话总结

AI算力爆发推动服务器功耗倍增，电容从配套环节升级为算力能量缓冲（电RAM） 新瓶颈，MLCC、铝电解电容、超级电容三类电容同步放量，中国厂商在电极箔、超级电容等环节具备全产业链优势，VR200单机柜MLCC价值量较GB300增182%，800V HVDC与SST架构落地进一步打开行业增长空间。

二、思维导图

三、详细总结

1. 行业核心定位与驱动逻辑

1. 核心定位
   电容是算力的能量缓冲，匹配电源供应速率与算力功率，成为继HBM后的算力新瓶颈，被定义为电RAM。
2. 核心驱动
   AI服务器功耗代际跃迁：GB300 NVL72整机柜功耗132-140kW，Rubin Ultra机架达600kW，直接带动被动元器件用量倍增。

2. 三类电容功能与增长矩阵

AI服务器采用MLCC、铝电解电容、超级电容三类电容互补布局，无替代关系：

3. MLCC用量与价值量跃迁

1. 用量跃迁
   GB300单机柜MLCC44万颗，VR200达60万颗，Rubin Ultra预计430万颗。
2. 价值量跃迁
   VR200单机柜MLCC价值4320美元，较GB300的1530美元增长182%。
3. 供需格局
   高端MLCC70%产能集中于日本厂商，现货价涨15%-35%，交期拉长至16-20周。

4. 中国产业链核心优势

1. 上游材料
   掌握高纯铝-电子光箔-电极箔全链条，东阳光拥有积层箔全球独家专利与唯一工厂。
2. 中游制造
   国产厂商覆盖铝电解电容、超级电容、MLPC全品类，江海股份、艾华集团等规模化供货。
3. 成本优势
   中国取消铝材出口退税，本土供应链成本可控、产能稳定。

5. 电源架构升级与终端场景

1. 技术路线
   NVIDIA推动：交流UPS→800V HVDC→SST固态变压器，2027年全面部署800V HVDC。
2. 终端场景
   服务器电源、PCS超容储能、SST固态变压器三大场景共振，SST提升效率3ppt以上、减少占地60%。

6. 相关标的与风险提示

1. 相关标的

• 超级电容：东阳光、江海股份、思源电气等
• MLCC：信维电子、三环集团、泰晶科技等
• SST/SiC：四方股份、金盘科技、三安光电等

2. 风险提示
   AI资本开支不及预期、服务器代际推进放缓、800V HVDC/SST渗透不及预期、海外客户认证延迟。

四、关键问题与答案

问题1：电容被称为“电RAM”的核心原因是什么？

答案：电容是算力的能量缓冲，承担电源供应速率与算力功率的匹配，和HBM（算力的数据缓冲）在算力链中位置高度对称；同时电容复制HBM需求暴增+供给瓶颈的涨价逻辑，从配套环节升级为瓶颈卡位环节，因此被定义为“电RAM”。

问题2：AI服务器代际升级对MLCC的用量和价值量带来哪些具体变化？

答案：1. 用量：GB300单机柜44万颗，VR200达60万颗（+30%），Rubin Ultra预计430万颗；2. 价值量：VR200单机柜MLCC价值4320美元，较GB300增长182%；3. 价格：高端MLCC现货价涨15%-35%，交期拉长至16-20周。

问题3：中国电容产业链的核心竞争力体现在哪些环节？

答案：1. 上游材料：掌握高纯铝、电极箔核心环节，东阳光拥有积层箔全球独家专利与唯一工厂；2. 中游制造：具备铝电解电容、超级电容等全品类量产能力；3. 成本与供应链：本土供应链完善，铝材成本可控，国产替代空间广阔。